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本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一鳍片结构与一第二鳍片结构,以及一第一字元线,该第一鳍片结构与该第二鳍片结构设置在一半导体基底上,该第一字元线穿过该第一鳍片结构与该第二鳍片结构设置。该半导体元件结构亦包括一第一源极/漏极(S/D)结构以及一第二源极/漏极(S/D)结构,该第一源极/漏极结构设置在该第一鳍片结构上,并邻近该第一字元线设置,而该第二源极/漏极结构设置在该第二鳍片结构上,并邻近该第一字元线设置。该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构之间具
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670286 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202010893706.0
(22)申请日 2020.08.31
(30)优先权数据
16/654,49
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