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2023-06-04 发布于四川
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具有气隙的半导体元件结构及其制备方法.pdf

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本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一鳍片结构与一第二鳍片结构，以及一第一字元线，该第一鳍片结构与该第二鳍片结构设置在一半导体基底上，该第一字元线穿过该第一鳍片结构与该第二鳍片结构设置。该半导体元件结构亦包括一第一源极/漏极(S/D)结构以及一第二源极/漏极(S/D)结构，该第一源极/漏极结构设置在该第一鳍片结构上，并邻近该第一字元线设置，而该第二源极/漏极结构设置在该第二鳍片结构上，并邻近该第一字元线设置。该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构之间具

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670286 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202010893706.0 (22)申请日 2020.08.31 (30)优先权数据 16/654,49

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