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一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件.pdf

    本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件。本发明中器件漏极分为两个部分，一部分是欧姆接触结构用于正向电流传导，另一部分是MIS结构用来实现反向阻断和减小反向泄漏电流。本发明采用了3‑6nm的薄AlGaN势垒层，避免了常规势垒中为实现零偏压时沟道2DEG的耗尽而刻蚀AlGaN势垒层造成刻蚀损伤。同时引入电荷恢复层来恢复薄势垒结构中的沟道2DEG密度，使器件具有较好的电流能力。本发明所提出的具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件有着工艺简单，反向泄露电流小和耐

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116207128 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310209979.2 (22)申请日 2023.03.07 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731

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