半导体晶圆外延生长装置及其工作方法.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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半导体晶圆外延生长装置及其工作方法.pdf

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本发明公开了一种半导体晶圆外延生长装置及其工作方法，半导体晶圆外延生长装置包括外延生长系统和光学表面分析系统，外延生长系统包括生长腔体和石墨基座，光学表面分析系统包括石墨盘转速探测器、电机反馈系统、信号分析系统、斜入射激光器、正入射激光器和第一、第二信号接收器。本发明中的石墨基座带动晶圆旋转，并结合正入射激光器和斜入射激光器的入射激光辐照，通过第一、第二信号接收器接收激光信号并反馈至信号处理系统进行对比和分析，能更精确地实时在线检测晶圆整个表面上的缺陷信息，从而根据反馈的缺陷信息进行即时工艺参数

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112663138 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011194799.4 C30B 25/20 (2006.01)

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