异质结太阳能电池及其制备方法、基础异质结太阳能电池.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法、基础异质结太阳能电池。该制备方法包括如下步骤：A、在硅片上制备本征非晶硅层，在本征非晶硅层上制备掺杂非晶硅层；B、在掺杂非晶硅层上制备透明导电氧化物薄膜；C、在透明导电氧化物薄膜上制备金属电极制得基础电池片；在制备本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜之前，预先在硅片表面的需进行划片的位置上放置掩膜，从而在本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜中形成有隔离沟道，隔离沟道自硅片的表面依次贯穿本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687766 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011578413.X (22)申请日 2020.12.28 (71)申请人苏州腾晖光伏技术有限公司

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