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本发明提供一种芯片的封装结构及其制备方法，方法包括：提供承载片；在所述承载片沿其厚度方向的第一表面形成金属盲孔；在所述承载片的所述第一表面形成第一钝化层，图形化所述第一钝化层以形成过孔；在所述图形化后的第一钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述过孔与所述金属盲孔电连接，以制备得到封装结构。本发明通过在承载片上设计出金属盲孔、第一钝化层和金属凸块，金属凸块通过设置在第一钝化层上的过孔与金属盲孔电连接，可以使金属盲孔的厚度超过20μm，金属盲孔的厚度范围可以达到30μm～100μm，降低了对钝化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670185 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011528287.7
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 厦门通富微电子有限公司
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