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2023-06-04 发布于四川
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存储器件的形成方法.pdf

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本申请公开了一种存储器件的形成方法，包括：提供一衬底，字线带状接触区的衬底中形成有STI结构，存储单元区和逻辑区的衬底上依次形成有栅氧层和浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层和STI结构上依次形成有第一隔离层和控制栅多晶硅层；对第一目标区域进行刻蚀，直至存储单元区和逻辑区的栅氧层暴露，字线带状接触区的STI结构暴露；依次沉积第一氧化层和第一硬掩模层；对第二目标区域进行刻蚀，在存储单元区形成第一沟槽，在字线带状接触区形成第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽内形成第二氧化层；依次沉积第二隔离层和第三氧化层，刻蚀打开

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112670290 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202011536786.0 H01L 27/11536 (2017.01)

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