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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    公开了具有bioFET传感器、生物指纹传感器和温度传感器的阵列的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧上形成栅电极，在半导体衬底内的源极区域和漏极区域之间形成沟道区域，以及在半导体衬底的第二侧上形成压电传感器区域。第二侧基本平行于第一侧并且与第一侧相对。该方法还包括在压电传感器区域的形成期间在第二侧上形成温度感测电极，在沟道区域上形成感测阱，以及将捕获试剂结合在感测阱上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112683755 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202010870002.1 G01N 33/574 (2006.01)

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