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金属囊封光电阴极电子发射器.pdfVIP

金属囊封光电阴极电子发射器.pdf

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    本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112673448 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 201980059591.0 R ·F ·加西亚　 (22)申请日 2019.0

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