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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一电极，其位于所述衬底上方；第二电极，其位于所述第一电极上方；及第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离。所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670409 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 20201

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