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2023-06-04 发布于四川
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本发明的实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)器件及其形成方法。在一些实施例中，可以通过在衬底上方形成第一电极结构来执行该方法。在第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件。通过在第一电极结构上方形成第一数据存储层以及在第一数据存储层上方形成第二数据存储层来形成掺杂的数据存储元件。第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂，并且第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的掺杂剂，该第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度。在掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670407 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202010639969.9 (22)申请日 2020.07.06 (30)优先权数据 16/601,77

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