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一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法.pdfVIP

一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法.pdf

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    本发明属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为InxAl1‑xN缓冲层或InxAl1‑xN/In0.18Al0.82N缓冲层。本发明还公开了大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜的外延生长方法。本发明不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题，有效控制外延片应力，对器件整体性能和良品率提升作用明显；利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687527 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011637782.1 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 华南理工大学 地址

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