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- 2023-06-04 发布于四川
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一种瞬态电压抑制装置，包括第一条形结构的半导体区域和第二条形结构的半导体区域，第一条形结构和第二条形结构中的第一部分半导体区域形成一个可控硅整流器，第一条形结构和第二条形结构中的第二部分半导体区域形成一个P‑N结二极管，第一条形结构和第二条形结构定义一个条形结构间的电流传导区；第一条形结构包括一个第一导电类型的第一掺杂区容，和一个第二导电类型的第二掺杂区；以及第二条形结构包括一个第二导电类型的第一掺杂区，和一个第一导电类型的第二掺杂区。本发明的瞬态电压抑制装置实现了受保护节点处的低电容。瞬态电压
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116207095 A
(43)申请公布日 2023.06.02
(21)申请号 202310318828.0 (51)Int.Cl .
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