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半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物.pdf

    本发明涉及半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物。在半导体器件制造中使用薄氧化锡膜作为间隔物。在一个实现方式中，薄氧化锡膜被共形沉积到具有第一材料(例如，氧化硅或氮化硅)的暴露层和包括第二材料(例如硅或碳)的多个突出特征的半导体衬底上。例如，可以使用原子层沉积来沉积10‑100nm厚的氧化锡层。然后，氧化锡膜被从水平表面去除，而不被从突出特征的侧壁完全去除。接下来，突出特征的材料被蚀刻掉，从而在衬底上留下氧化锡间隔物。之后，蚀刻第一材料的未保护部分，而不去除间隔物。接下来，蚀刻下层，并且去除间隔物。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112701029 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202011403430.X (51)Int.Cl.

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