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本发明公开了一种碲化锑光电探测器件及其制备方法,方法包括:在衬底上蒸镀Sb2Te3薄膜生长的催化层;在具有催化层的衬底上蒸镀Sb2Te3薄膜;对Sb2Te3薄膜进行退火处理;在完成退火处理的Sb2Te3薄膜上蒸镀第一有机材料形成增强吸收层,形成衬底材料/Sb2Te3/第一有机材料异质结;在异质结两端制备电极得到碲化锑光电探测器件或线列,在可见光‑近红外波段的吸收明显提高并拥有较高的电子迁移率。本方法相比于化学气相沉积法(CVD)、分子束外延(MBE)、磁控溅射等镀膜方法,制备周期短,操作简单且制
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687809 B
(45)授权公告日 2022.04.15
(21)申请号 202011591766.3 H01L 51/42 (2006.01)
(2
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