一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件.pdf

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本发明提供一种形成双角度形貌沟槽的蚀刻方法和氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括介质层，介质层上开设有双角度形貌沟槽，双角度形貌沟槽包括第一底壁和侧壁，第一底壁与侧壁之间通过斜面连接，第一底壁与侧壁之间的夹角为第一夹角，第一底壁与斜面之间的夹角为第二夹角，第一夹角为直角或钝角，第二夹角为钝角，第二夹角大于第一夹角。该氮化镓半导体器件能够降低沟槽底壁与侧壁连接处的应力，同时可避免蚀刻残渣去除不干净问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112735952 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202110074740.X (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人英诺赛科（珠海）科技有限公司