半导体器件的钝化方法.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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半导体器件的钝化方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件的钝化方法，涉及半导体相关的技术领域，该半导体器件的钝化方法，包括如下步骤：将解理的巴条放入到腔室内进行氧化处理；抽真空，利用形成的氢等离子体对巴条的腔面进行清洗处理,并利用形成的氦等离子体对巴条的腔面进行清洗处理；在清洗处理后保持氦气源开启并形成氦等离子体的状态下，对巴条的腔面进行钝化处理，可以加速钝化过程。本发明提供的一种半导体器件的钝化方法将自然解理的巴条进行氧化处理，使巴条腔面上的氧化物的厚度均一，避免了在清洗过程中，出现清洗不完全和过清洗的问题，且利用氢等离子体

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112736641 B (45)授权公告日 2022.03.29 (21)申请号 202110034018.3 H01L 21/02 (2006.01) (22)申请日