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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括一对主动区、第一隔离结构、栅极结构以及一对接触件。第一隔离结构位于一对主动区之间。栅极结构位于第一隔离结构上。一对接触件分别位于一对主动区上，其中一对接触件的每一个具有底表面与侧壁，侧壁垂直于底表面。借此，本发明的半导体结构，实现了接触件的高吞吐量，并且改善了半导体结构的效能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750757 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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