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本申请实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，该制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成堆叠结构；在所述堆叠结构中形成多个通道孔；在所述通道孔侧壁形成半导体层；将等离子体注入到所述通道孔的第一区域，使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域的部分的被氧化能力弱于所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分的被氧化能力，其中所述半导体层第一区域位于所述半导体层第二区域背离所述衬底一侧，从而能够在氧化所述半导体层，形成位于所述通道孔侧壁的氧化层时，使得更多的氧原子能够到达所述半导体层位于所述通道
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713152 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202110177231.X
(22)申请日 2021.02.07
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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