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- 2023-06-05 发布于四川
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本申请是关于一种半导体bump缺陷检测方法。该方法包括：通过光谱共焦位移传感器对晶圆进行扫描，晶圆包括N个半导体bump，得到第一3D点云图，N为大于1整数；对第一3D点云图进行点云滤波处理，得到第二3D点云图；将第二3D点云图转换成待测2D深度图，待测2D深度图中像素点的像素值对应表示像素点的深度信息；对待测2D深度图进行提取，得到待测半导体bump的目标检测图像；根据目标检测图像获取待测半导体bump的结构参数，将结构参数与标准结构参数范围对比，若结构参数与标准结构参数范围不匹配，则判断待测
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112734760 B
(45)授权公告日 2021.08.06
(21)申请号 202110344668.8 G06T 7/62 (2017.01)
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