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半导体器件检查方法及半导体器件检查装置.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体器件检查方法及半导体器件检查装置.pdf

    本发明的半导体器件检查方法包括：第1照射步骤，其对被检查区域内的至少1个部位进行检查照射；第1输出步骤，其基于第1照射步骤而输出表示被检查区域的整体中有无缺陷部位的第1信息；第2照射步骤，其在基于第1信息判断为要进一步进行检查照射的情形时，对与第1照射步骤中已进行检查照射的部位不同的被检查区域内的至少1个部位进行检查照射；及第2输出步骤，其基于在第2照射步骤期间自半导体器件输出的输出信号，输出表示被检查区域的整体中有无缺陷部位的第2信息。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112752980 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201980063019.1 (74)专利代理机构 北京尚诚知识产权代理有限

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