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沟槽栅半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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沟槽栅半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，包括：在第一外延层中形成的体区，栅极沟槽穿过体区，栅极导电材料层将栅极沟槽的底部区域完全填充，源区通过带角度离子注入自对准形成在栅极沟槽的顶部区域的侧面；在栅极导电材料层的表面形成有顶部介质层，在顶部介质层的两侧顶角处形成有第一凹槽；源接触孔的底部自对准形成在第一凹槽中和第一凹槽之间的顶部介质层表面，在第一凹槽中源区的顶部表面和源接触孔侧面接触实现源区引出。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。本发明不需要源接触孔和沟槽栅之间满足横向隔离的对准，能降低器

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112701164 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202110160130.1 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人 上海

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