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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置.pdf

    公开了一种半导体装置。半导体装置可以包括接地垫和下电极，下电极位于接地垫上且连接到接地垫并且包括外部部分和在外部部分内部的内部部分。外部部分包括第一区域和第二区域。半导体装置还可以包括下电极的外部部分的第一区域上的介电膜和位于介电膜上的上电极。下电极的外部部分的第一区域可以包括硅(Si)掺杂剂，介电膜不沿着外部部分的第二区域延伸。外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度并且比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750950 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011153547.7 (22)申请日 2020.10.26 (30)优先权数据 10-2019-0

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