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本申请提供一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频滤波器，其中复合衬底从下至上依次包括晶硅衬底层和第一多晶硅层，第一多晶硅层包括单晶硅融合层、第二多晶硅层以及二氧化硅层；单晶硅融合层与单晶硅衬底层一体成型；单晶硅融合层靠近第二多晶硅层的一侧形成有融合凸起；单晶硅衬底层、单晶硅融合层以及融合凸起中单晶硅的晶向相同。本申请通过在第二多晶硅层和单晶硅衬底层之间形成单晶硅融合层，提高第二多晶硅层在硅衬底上沉积的粘附性，降低在切割过程中复合薄膜在结合力较差的界面发生解键合的风险，避免功能薄膜脱落，提高复
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112736167 B
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202011605509.0 (51)Int.Cl.
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