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一种CMOS图像传感器及其制造方法.pdfVIP

一种CMOS图像传感器及其制造方法.pdf

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    本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，包括：在半导体衬底中形成隔离区，限定CMOS图像传感器的单位像素的有源区；在半导体衬底上形成栅极；形成覆盖隔离区的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；在有源区的一部分中形成钳位光电二极管的扩散区，其中扩散区与所述隔离区间隔开地形成。通过在扩散区域之间的边界部分注入杂质，防止了钳位光电二极管PDD和隔离区域的损坏，并且减小了在CMOS图像传感器中的暗电流。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736105 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011616752.2 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人 长春长光辰芯光电技术有限公司

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