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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置.pdf

    一种半导体装置，包括鳍部，突出于半导体基底；栅极结构位于鳍部上；第一介电层位于栅极结构上且包括第一介电材料；栅极间隔件沿着栅极结构的侧壁及沿着第一介电层的侧壁，栅极间隔件的上表面比栅极结构的上表面更远离半导体基底；蚀刻停止层沿着栅极间隔件，蚀刻停止层的上表面比栅极间隔件的上表面更靠近半导体基底；源极/漏极接触电极相邻于蚀刻停止层；第二介电层位于源极/漏极接触电极上且包括第二介电材料，其中第二介电层延伸于蚀刻停止层的上表面上；第三介电层位于第二介电层上，且包括第三介电材料，其中三介电材料具有不同于

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750816 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010842050.X (22)申请日 2020.08.20 (30)优先权数据

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