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半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体结构.pdf

    本发明公开一种半导体结构，包括：半导体堆叠，在基板上方，其中每个该半导体堆叠在第一方向上延伸，并且相邻的半导体堆叠在不同于该第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中每个该半导体堆叠包括：沟道层，位于该基板上方并在第三方向上彼此间隔开，其中该第三方向垂直于该第一方向和该第二方向；以及栅极结构，包括：围绕相应的该沟道层的栅极介电层；以及沿着该栅极介电层的侧壁和该栅极介电层的最上面的栅极介电层的顶表面的栅电极，其中，该沟道层的两个最下面的沟道层之间沿第三方向的间距大于该沟道层的两个最上面沟道层之间沿第三方

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750907 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011004332.9 H01L 29/10 (2006.01) (22)申请日 2

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