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本申请案涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向隔开的存储器块，所述横向隔开的存储器块个别地包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层面及导电层面。存储器单元的可操作通道材料串延伸穿过所述绝缘层面及所述导电层面。所述存储器块中的第一虚设支柱延伸穿过所述通道材料串所延伸穿过的所述绝缘层面及所述导电层面中的至少大多数。第二虚设支柱横向地位于紧密横向相邻的所述存储器块之间且沿着紧密横向相邻的所述存储器块纵向隔开。所述第二虚设支柱延伸穿过所述可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713150 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202011117670.3 H01L 27/1157 (2017.01)
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