QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置.pdf

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本发明公开了一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，其中QLED器件包括依次层叠设置的阳极、复合发光层和阴极，所述复合发光层包括第一量子点层、第二量子点层和连接层，所述连接层位于所述第一量子点层和所述第二量子点层之间，所述第一量子点层和所述第二量子点层材料为核壳量子点，所述连接层材料与所述核壳量子点壳材料相同。其中，连接层有效隔离量子点并增大了第一层量子点和第二层量子点之间的距离，减少量子点之间的堆积，提高量子点的发光效率，延长QLED器件寿命。而且，连接层材料与核壳量子点壳材料保持

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736207 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011623146.3 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人广东聚华印刷显示技术有限公司

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