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一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法.pdfVIP

一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法.pdf

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    本发明提供一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法，该制备方法使用氢氟酸腐蚀处理单模光纤，然后与另一个单模光纤熔接形成F‑P结构，然后使用侧面抛磨技术，根据需要打磨出不同尺寸的抛磨区，该制备方法操作简单，成本低廉，可根据需要制备不同尺寸的F‑P腔结构和抛磨区，所制备的光纤应变结构具有高度的灵敏性和稳定性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112729141 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011438030.2 (22)申请日 2020.12.07 (71)申请人 北京

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