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- 2023-06-05 发布于四川
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本申请提供了一种包括MRAM底电极制作工艺的制作方法及MRAM器件，该制作方法包括：提供一基底，基底包括依次设置的金属互联层、第一阻挡层以及介电层，在第一阻挡层和介电层中形成底部通孔；在底部通孔和底部通孔两侧的介电层的裸露表面上依次覆盖第二阻挡层和导电金属层，导电金属层填充满底部通孔；采用化学机械抛光法去除第二阻挡层表面的导电金属层，保留第二阻挡层，底部通孔中形成凹陷；沉积底电极金属，填充满凹陷，形成底电极金属预制层；通过化学机械抛光去除部分底电极金属预制层，形成表面平整的底电极金属预制层；对底
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713169 A
(43)申请公布日
2021.04.27
(21)申请号 20191
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