1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种P型微晶硅发射极的背抛光异质结电池的制造方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约8.66千字
  • 约 7页
  • 2023-06-05 发布于四川
  • 举报

一种P型微晶硅发射极的背抛光异质结电池的制造方法.pdf

    本发明公开一种P型微晶硅发射极的背抛光异质结电池的制造方法，采用一面绒面一面为抛光面的N型单晶硅片，在绒面沉积绒面本征非晶硅层和掺杂微晶N层，在抛光面沉积抛光面本征非晶硅层和P型微晶硅发射极，两面均镀透明导电氧化物薄膜(ITO)，并在透明导电氧化物薄膜上丝网印刷银栅电极，形成背面P型微晶硅发射极的异质结电池；背抛光硅片与微晶硅膜层的接触更好，可有效降低发射极膜层厚度，提高微晶硅层的晶化率，更有利于发射极带隙的调节，从而提高电池转换效率，同时也降低生产的能耗，提高生产节拍，提高经济效益。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115763588 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211498685.8 (22)申请日 2022.11.28 (71)申请人 福建金石能源有限公司 地址 362

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >