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本发明提供一种金氧半导体模块，包含：半导体基板，及多个形成于半导体基板的金氧半导体组件，金氧半导体组件以至少一沟槽彼此间隔。每一个金氧半导体组件包括形成于半导体基板的重掺杂半导体层、形成于重掺杂半导体层的磊晶层、定义于磊晶层内，以裸露重掺杂半导体层的开口；及金属图案单元，金属图案单元具有位于磊晶层上的源极金属图案、位于磊晶层上的栅极金属图案；以及通过开口，自重掺杂半导体层向上延伸并凸伸出磊晶层的漏极金属图案。此外，本发明并提供具有此金氧半导体模块的发光二极管显示设备，借此，可适用于芯片级封装，且
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112736077 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202011054299.0
(22)申请日 2020.09.30
(30)优先权数据
108138870
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