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2023-06-05 发布于四川
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一种三维存储器件及其制造方法、电子装置.pdf

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本发明公开了一种三维存储器件及其制造方法、电子装置。所述制造方法包括：提供衬底；对所述衬底进行掺杂，以形成源极；在所述衬底上形成控制栅极堆叠结构，所述控制栅极堆叠结构包括多层交错堆叠的层间介质层及控制栅极层，所述控制栅极层形成于相邻的层间介质层之间，所述控制栅极层包括过渡金属硫化物；图案化所述控制栅极堆叠结构，以在所述控制栅极堆叠结构中形成露出所述源极的孔洞；在所述孔洞的侧壁上形成电荷捕获层；沉积沟道材料层，以填充所述孔洞；在所述控制栅极堆叠结构上形成漏极。根据本发明提供的三维存储器件的制造方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736084 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011560706.5 (22)申请日 2020.12.25 (71)申请人光华临港工程应用技术研发（上海）

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