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磁阻效应元件.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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磁阻效应元件.pdf

    本发明提供一种在高的偏压下产生比使用了现有的隧道势垒的TMR元件更高的MR比的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件，其特征在于，具备层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层，所述基底层由NbN、TaN或它们的混晶构成，所述隧道势垒层由具有阳离子排列不规则的尖晶石结构的、下述组成式(1)表示的化合物构成，(1)：AxB2Oy，式中，A表示2种以上的非磁性元素的二价阳离子，B表示铝离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112701218 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202110187433.2 H01L 43/12 (2006.01) (22)申请日 2

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