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一种三维存储器及三维存储器的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种三维存储器及三维存储器的形成方法.pdf

    本申请实施例公开了一种三维存储器及三维存储器的形成方法，所述三维存储器包括：多条第一导电线，沿第一方向延伸；多条第二导电线，沿第二方向延伸；设置在每一所述第一导电线与对应的所述第二导电线之间、且与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直的相变存储单元；其中，所述相变存储单元至少包括沿第三方向依次叠置的存储层和选通层，所述存储层包括交替堆叠的至少一个相变层和至少一个结晶促进层，所述结晶促进层用于促进所述相变层的结晶过程；所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向两两相互垂直。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768491 B (45)授权公告日 2021.12.28 (21)申请号 202110185001.8 (51)Int.Cl.

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