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三维存储器的擦除操作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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三维存储器的擦除操作方法.pdf

    本发明提供一种三维存储器的擦除操作方法，通过双边擦除的方式增加不同侧沟道结构的电荷捕获层中的电子的擦除速度，同时在连接所述两侧沟道结构的沟道连接层中掺杂有N型离子，避免导通电流下降的问题。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768454 B (45)授权公告日 2022.08.09 (21)申请号 202110081844.3 H01L 27/11556 (2017.01)

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