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本发明公开一种半导体元件及包含其的半导体组件。该半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构包含第一掺质。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含不同于第一掺质的第二掺质。活性区位于第一半导体结构与第二半导体结构之间且包含第一掺质。此半导体元件于J_EmaxA/cm2的电流密度下具有一最大外部量子效率Emax%,且于0.001×(J_Emax)A/cm2的电流密度下,该半导体元件具有Emax%的15%以上的外部量子效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786748 A
(43)申请公布日 2021.05.11
(21)申请号 202011221816.9 H01L 33/30 (2010.01)
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