1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约1.85万字
  • 约 14页
  • 2023-06-06 发布于四川
  • 举报

一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种低空洞率的倒装LED芯片及其制备方法，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层的材料选用Au和Sn，Au和Sn的质量百分比为(15％～30％)：(70％～85％)；其中，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuxSn1‑x层，每层AuxSn1‑x中Au和Sn的比例不同。本发明的倒装L

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768591 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110038564.4 (22)申请日 2021.01.12 (71)申请人 佛山市国星半导体技术有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >