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金属氧化物半导体传感器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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金属氧化物半导体传感器及其制备方法.pdf

    本发明提供一种金属氧化物半导体传感器及其制备方法。金属氧化物半导体传感器的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极以及栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成有源岛，有源岛包括源极、漏极以及经过离子注入的金属氧化物半导体图形；在形成有有源岛的所述栅极绝缘层上形成由压电材料或光敏材料构成的保护层。本发明中金属氧化物半导体传感器的灵敏度高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768600 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011616172.3 H01L 31/032 (2006.01)

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