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一种3D NAND存储器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种3D NAND存储器件及其制造方法.pdf

    本申请提供一种3DNAND存储器件及其制造方法，3DNAND存储器件的制造方法中，可以提供衬底，衬底包括相邻的核心存储区和台阶区，衬底的台阶区形成有介质层结构，在衬底上以及介质层结构的朝向核心存储区的侧壁上，依次交替层叠绝缘层和牺牲层形成堆叠层，衬底上的堆叠层在堆叠方向上的厚度小于或等于介质层结构的厚度，介质层结构的侧壁上的堆叠层的堆叠方向垂直于该侧壁，将牺牲层替换为栅极层，介质层结构的侧壁上的栅极层用于连接引出结构，这样，介质层结构的侧壁上的栅极层的接触部可以设置在同一水平面，这样不会因此

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768458 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110130390.4 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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