高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板.pdf

本发明的玻璃基板(2),以氧化物基准的摩尔百分率计,在0.001~5%的范围内含有碱金属氧化物,并且碱金属氧化物中由Na2O/(Na2O+K2O)表示的摩尔比为0.01~0.99的范围,且在合计含量1~40%的范围内含有Al2O3和B2O3,并且由Al2O3/(Al2O3+B2O3)表示的摩尔比为0~0.45的范围,以SiO2为主成分。玻璃基板(2)的至少一个主表面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra的值计为1.5nm以下且35GHz下的介电损耗角正切为0.007以下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112759255 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011633954.8 (51)Int.Cl.

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