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深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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深紫外LED外延结构、深紫外LED及制备方法.pdf

    本发明涉及LED技术领域，技术涉及一种深紫外LED外延结构、深紫外LED及其制备方法。所述深紫外LED外延结构的制备方法如下：在衬底上生长深紫外LED外延层至P型AlGaN层，在深紫外LED外延层P型AlGaN层模板的基础上，在上面做图形化SiO2，然后在外延在此基础上生长P型GaN层，把图形化SiO2外延层刻蚀掉，即制得深紫外LED外延结构；然后在刻蚀掉SiO2层的位置镀上Al电极，即制得深紫外LED。图形化SiO2被刻蚀后的位置镀上的Al电极，可有效增加光的反射，增加出光。同时，Al电极附近

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768580 B (45)授权公告日 2021.12.07 (21)申请号 202110002673.0 H01L 33/38 (2010.01)

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