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提供可抑制来自栅极电极的漏电流的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有:半导体基板,其至少具有第2导电型的第1半导体层、第1导电型的第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、第3半导体层的上层部的第1导电型的第4半导体层;第1栅极沟槽,其在厚度方向上贯通第4、第3以及第2半导体层而到达第1半导体层内;层间绝缘膜;第1主电极,其与第4半导体层相接;以及第2主电极,其设置于与第1主电极相反侧,第1栅极沟槽具有在下部侧设置的第1栅极电极和在上部侧设置的第2栅极电极。第1栅极电极与第1栅极绝缘膜相接,第1
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786691 A
(43)申请公布日 2021.05.11
(21)申请号 202011163257.0
(22)申请日 2020.10.27
(30)优先权数据
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