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- 2023-06-06 发布于四川
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一种低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法，此低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列包含多组位线、多条字线、多条共源线与多个子内存阵列，于每一子内存阵列中，第一记忆晶胞连接第一组位线的一位线、第一共源线与第一字线，第二记忆晶胞连接第一组位线的另一位线、第一共源线与第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧。藉由本发明对应元件提出特殊的操作条件及偏压设定，不仅可实现低电流、低电压及低成本的设计功效，更能达到字节操作的快速写入及快速抹除的功能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802526 A
(43)申请公布日
2021.05.14
(21)申请号 20191
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