一种AlGaInP发光二极管芯片结构.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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一种AlGaInP发光二极管芯片结构.pdf

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本发明涉及半导体发光器件领域，尤其是涉及一种AlGaInP发光二极管结构。本发明采用N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)代替N型GaAs欧姆接触层。GaxIn1‑xP(0.4≤x≤0.6)材料与GaAs衬底具有很好的晶格匹配性，禁带宽度较大，对红光有较好的透明性，并且与GaAs有很好的选择腐蚀性，在制造芯片过程中也可以看到P面的图形而无需开窗工艺。而且，通过合理的掺杂设计，可以很好的与N电极形成良好的欧姆接触，保证较低的工作电压。在外延生长过程中，可在缓冲层生长后直接生长N型G

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112786757 B (45)授权公告日 2021.12.21 (21)申请号 202110197610.5 审查员杨慧敏 (22)申请日 2021.02.22