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2023-06-06 发布于四川
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本申请提供了一种形成三维存储器结构的方法和掩膜板，方法包括：在衬底上形成底部层叠结构，并在底部层叠结构远离衬底的一侧形成第一掩膜；基于所述第一掩膜对所述底部层叠结构进行刻蚀，以形成贯穿所述底部层叠结构和所述衬底一部分的多个开口；以及在所述底部层叠结构上形成暴露所述多个开口中的至少一部分开口的第二掩膜，并基于所述第二掩膜向经由所述至少一部分开口暴露的衬底进行掺杂。通过改变现有的工艺顺序，将底部层叠结构的刻蚀工艺和零层刻蚀工艺设置在一起，使得底部层叠结构的刻蚀工艺和零层刻蚀工艺能够共用一层掩膜，节省

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768457 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011537966.0 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人长江存储科技有限责任公司

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