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本发明公开了一种转移贴片式超导纳米线单光子探测器的制备方法,包括:在表面氧化的单晶硅晶片上沉积以氮化铌为材料的超导合金薄膜;制备氮化铌超导纳米线器件与对应的金电极图形;在器件表面高速旋涂保护胶,并光刻露出挖空区域;刻蚀器件下层硅层,直至器件由金电极悬挂悬空;去除器件晶片上起保护作用的光刻胶;切断器件两端悬空金支架,挑取器件转移至柔性聚合物表面,并倒装贴向预备电路表面。本发明提出了一种超导纳米线单光子探测器光学集成电路的构造方案,通过探针转移芯片方式,拓展了超导单光子探测器在光学集成电路等微纳米光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786774 A
(43)申请公布日 2021.05.11
(21)申请号 202110011054.8
(22)申请日 2021.01.07
(71)申请人 南京大学
地址 21
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