1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件的制造方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约9.86千字
  • 约 11页
  • 2023-06-06 发布于四川
  • 举报

半导体器件的制造方法.pdf

    本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底内形成有隔离沟槽且所述衬底的表面形成有阻挡层；旋涂第一绝缘材料，填充所述隔离沟槽并延伸到所述隔离沟槽外的衬底表面，并进行第一温度的退火工艺，以形成具有第一研磨速率的第一绝缘材料层；在所述第一材料层上旋涂第二绝缘材料，并进行第二温度的退火工艺，以形成具有第二研磨速率的第二绝缘材料层；对所述衬底进行平坦化处理，以暴露所述阻挡层并在所述隔离沟槽内形成绝缘层。本发明提供的半导体器件的制造方法通过不同温度的退火工艺在衬底上形成研磨速率不同的绝缘材

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768404 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110122122.8 (22)申请日 2021.01.26 (71)申请人 上海华力微电子有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >