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- 2023-06-06 发布于四川
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半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4)。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4)的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004×S2+0.171＜S1＜－0.032×S2+1.427···(1)1.7＜(T1+T2)/T3＜3.5···(2)T1≥T
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112805822 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 201880098366.3 (51)Int.Cl.
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