基于铌酸锂薄膜的集成高速偏振控制器及制备方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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基于铌酸锂薄膜的集成高速偏振控制器及制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于X切的薄膜铌酸锂波导的偏振控制器，包括第一移相区、模式转换区、第二移相区、弯曲波导；第一移相区一端为输入端，另一端通过弯曲波导与模式转换区的一端相连；第一移相区、第二移相区由未极化反转的铌酸锂直波导、弯曲波导、极化反转的铌酸锂直波导、电极构成，直波导沿铌酸锂晶轴的Y方向，电极位于直波导左右两侧；模式转换区另一端通过弯曲波导与第二移相区一端相连；第二移相区另一端为输出端，将偏振控制器的光输出；所述模式转换区由铌酸锂直波导、弯曲波导、电极构成，电极位于直波导周围；第一、第二移相区

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112748589 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 202110088841.2 G02F 1/035 (2006.01) (22)申请日 2021.01